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半导体 芯片:在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓(砷化镓有毒，所以一些劣质电路板不要好奇分解它)，锗等半导体材料。半导体也像汽车有潮流。二十世纪七十年代，英特尔等美国企业在动态随机存取内存(D-RAM)市场占上风。但由于大型计算机的出现，需要高性能D-RAM的二十世纪八十年代，日本企业名 涅 前茅。
半导体和太阳能电池行业的发展，使得原料多晶硅的生产成为热点行业，同时对多晶硅的纯度要求也越来越高，如何有效地去除多晶硅中的杂质成为我国多晶硅行业的难题，尤其是含硼化合物种类繁多，成分复杂，与氯硅烷体系沸点十分接近，如何有效地去除含硼杂质化合物是各个多晶硅生产企业面临的主要问题。国内目前多采用多级精馏的方法去除三氯氢硅中的硼杂质，是将合成工段生成的三氯氢硅直接送入精馏工段进行精馏去除硼杂质。但由于合成工段生成的三氯氢硅中的硼含量都较高，
芯片：
原材料-沙子：
所有的芯片都是从一种非常简单的原材料开始：沙子。需要复杂的化学和物理过程才能从沙子中制造出纯单晶硅锭，称为晶锭，每 1000 万个硅原子中只有一个杂质原子。然后使用特殊的锯切技术从硅晶锭上切割出极薄的晶片。这些晶圆是后续芯片生产的基本构建块。它们制造成各种不同的直径。常见的尺寸是 150、200 和 300 毫米。
直径大的晶圆为芯片提供了更多的空间。硅是一种半导体。这意味着它可以导电，也可以作为绝缘体。为了使其导导，在晶圆中加入少量特定原子作为杂质。这些杂质原子***有许多外电子，这些电子要么比硅多一个，要么少一个。根据外电子的数量，材料变得具有p导电性或传导性。晶体管建立在掺杂晶圆中的p和n导电层上。晶体管是微芯片中小的控制单元。他们的工作是控制电压和电流，它们是迄今为止电子电路重要的组件。但是这些层是如何在晶圆上创建的呢？
布局和设计阶段：
芯片制造的过程从布局和设计阶段开始。高度复杂的芯片由数十亿个晶体管组成，使微控制器和加密芯片等复杂电路能够建在只有几平方毫米大小的半导体表面上。组件数量之多需要深入的设计过程。这需要定义芯片的功能，模拟其技术和物理特性，测试其功能并计算出单个晶体管连接。
氧化，曝光阶段：
首先，晶圆表面在大约一千摄氏度的高温炉中氧化，形成非导电层。然后，利用离心力将光致抗蚀剂材料均匀地分布在该非导电层上。这种涂层工艺会产生一个感光层。然后在称为步进器的特殊曝光机中通过光掩模对晶片进行曝光。芯片图案的暴露区域被显影，露出下面的氧化物层。未曝光的部分保持原样，保护氧化物层。此后，在已使用湿法或等离子蚀刻显影的区域中蚀刻掉暴露的氧化物层。然后，再次施加光刻胶，并通过掩模对晶片进行曝光。再次剥离曝光的光刻胶。
掺杂阶段：
下一步是掺杂过程，将杂质原子引入暴露的硅中。离子注入机用于将杂质原子注入硅中。这会使暴露硅的导电性改变几分之一微米。祛除光刻胶残留物后，再涂一层氧化层。晶片经历另一个循环，即施加光刻胶、通过掩模曝光和剥离。
蚀刻接触孔供导电层访问，使接触和互连能够集成在晶片中。再次施加光刻胶和掩模。为了使互连上方的绝缘层具有光滑表面，使用化学机械工艺以微米精度抛光掉多余的材料。这些单独的步骤可以在制造过程中重复多次，直到集成电路完成。根据芯片的大小和类型，晶圆将包含从几十到数千个芯片。
组装：
制造的后阶段是组装。在这里，单个芯片被放置在一个封装中，并附有端子。结果是成品半导体器件，可以使用不同类型的端子安装在电路板上，可以实现上千个连接触点。高精度和高质量在工作流程的每个阶段都是必不可少的。
杜笙除硼树脂在 IC半导体行业用除硼超纯水系统，用原水加热板式热换器，保证水温不低于10℃，以提高水质；采用两套并联的除硼树脂，一备一用，能够轮流切换，提高稳定性，进一步优化水质；添加多套UV杀菌器，能够有效脱除总有机碳TOC，并配置在线TOC测试仪。能够同时产出除硼超纯水和常规超纯水，且整个过程自动化控制，效率高，运行稳定可靠，水质纯净稳定，经济实用，操作简单，使用效果好。
CH-99 是一款去除水溶液中硼及其盐的选择性离子交换树脂。在一些化工工业以及农业用水中，微量的硼或者硼盐都可能是严重的问题。此种树脂可以在较大的PH范围内甚至有其他离子存在的溶液中有效的去除硼以及硼盐，并且具有更高的数量级。
典型特性（TYPICAL CHARACTERISTICS）： Tulsimer CH-99
主体结构/Matrix structure交联聚苯乙烯/Cross 1inked polystyrene
物理型式/Physical form含水球状/Wet spherical beads
官能团/Functional group胺聚羟基/Poly hydroxy amine
离子型式/Ionic form as shiPPed 氯/Chloride
总交换量/Total exchange caPAcity( meq/ml )0.8 meq/ml
目数/Screen size USS (湿)16 to 50
粒度/Particle size(95% minm.)0.3 - 1.2 mm
平衡硼量/Equilibrium boron capacity( meq/ml ) 5.7 meq/ml
湿度/Moisture content46±3%
容积密度/Bulk density680 - 720 gm/lit(43 - 47 lbs/cft)
温度/Maximum Thermal Stability80℃（175）
除硼应用
饮用水
世界各国与各个组织对饮用水中的硼的上限没有统一的规定，一般建议值多在0.2-1 mg/L。以欧盟指令98/93EC为例，饮用水中硼的浓度上限为1 mg/L。
农业灌溉用水微量硼元素可以促进植物的生长，较高浓度的硼元素会对农业作物有致命的副作用，这一浓度范围很窄，一般情况下，农业灌溉用水的硼元素控制在1mg/L。
超纯水半导体的制造过程中，硼元素作为掺杂剂使用，因此生产过程中的废水含有不同浓度的硼元素。但是一些半导体制造工艺用水对硼有非常严格的限定。CH-99可将硼的浓度降至ng/L(ppt)水平。废液净化硼元素可用于陶瓷与搪瓷工业的装饰，CH-99可以去除废液中的硼元素。MgCl溶液精制氯化镁卤水电解制备金属镁过程中，硼对后期电解镁影响非常大，严重影响电解过程和产品质量及能耗，所以将卤水中的硼除去。卤水中硼含量需从100mg/L以上降至10mg/L以下。
