LED外延片成长工艺的解决方案

　　今天来探讨LED外延片的成长发展工艺，早期在小积体电路信息时代，每一个外延片上制作企业数以千计的芯片，现在次进行微米线宽的大型VLSI，每一个8?的外延片上也只能通过完成工作一两百个***控制芯片。外延片的制造虽动?投资数百亿，但却是我们所有中国电子技术工业的基础。

　　硅晶柱的生长首先需要将一个相对高纯度的硅矿石插入炉内，并添加一种预先设置的金属材料，使得到的硅晶柱具有所需的电学性能，然后将所有材料熔化成单晶硅晶柱。

　　长晶主要程式：

　　1，熔融(熔化)

　　此过程是将置放于一个石英坩锅内的块状复晶硅加热制高于摄氏1420度的融化进行温度控制之上，此阶段发展中具有重要的参数为坩锅的位置与热量的供应，若使用存在较大的功率来融化复晶硅，石英坩锅的寿命会降低，反之输出功率效率太低则融化的过程管理费时我们太久，影响企业整体的产能。

　　2.颈部生长(颈部生长)

　　当硅熔化温度稳定的浆料，籽晶的方向逐渐注入，随后在晶种上拉，并在减小的直径(约6毫米)，并保持此细长10-20厘米的直径，以消除行差(位错)在种子行这种零差(无位错)控制主要局限于在颈部生长的差的行。

　　3，晶体生长***(***生长)

　　长颈后，慢慢降低拉力速度和温度，使颈部直径逐渐增大到所需尺寸..

　　如图4所示，晶体生长(身体生长)